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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。棋牌游戏南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称棋牌游戏南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商棋牌游戏南通华林科纳半导体设备有限公司 www.czshengchang.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.czshengchang.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 棋牌游戏南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE棋牌游戏南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-棋牌游戏南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 棋牌游戏南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称棋牌游戏南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system棋牌游戏南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2"-12";可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注棋牌游戏南通华林科纳半导体官网,关注http://www.czshengchang.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-棋牌游戏南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 棋牌游戏南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称棋牌游戏南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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中国半导体投资有望增至万亿,专家提醒避免三大误区

时间: 2018-10-15
点击次数: 92

在10月11日举行的广州2018小蛮腰科技大会上,中国芯片如何破局成为热点话题之一。厚生利用投资创始合伙人兼总裁栾凌预测,中国半导体投资未来十年将增至10000亿元。而深圳半导体协会秘书长常军锋提醒说,国内芯片投资要避免大而全、半途而废、短期超越三大误区。

中国半导体投资有望增至万亿,专家提醒避免三大误区

芯片投资将达万亿

栾凌介绍说,半导体芯片短板已成为中国人工智能产业发展的挑战之一。随着互联网、社交媒体、移动设备的大量普及,以及5G和物联网的快速发展,市场对存储芯片的需求增加,而人工智能芯片技术的高速迭代又催生出各类AI专用芯片。

目前在集成电路领域,美国拥有英特尔、高通、德州仪器、博通、Nvidia、美光等半导体巨头。2017年公开数据显示,总部设在美国的半导体公司销售额占了全球销售份额的46%。

中国代表性的半导体企业,正在奋起追赶。2000年成立的中芯国际,目前14纳米制程已接近研发完成,距离2019年量产的目标似乎已经不远,一旦实现目前由海外代工的部分产品将有望回归国内代工。华为海思,2017年以47.15亿美元的销售额成为全球第七大芯片设计公司,增长率达到21%;海思的麒麟980芯片是全球首款7纳米人工智能手机芯片,在AI运算能力上领先。

在人工智能芯片领域,出现了寒武纪、深鉴科技、地平线多家芯片公司。如寒武纪今年6月完成数亿美元B轮融资,投后估值25亿美元;阿里巴巴成立平头哥半导体有限公司,四个主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯片、量子计算芯片和物联网芯片。

国内资本快速进入半导体领域,包括北京、上海、广东等在内的十几个省市已成立专门扶植半导体产业发展的地方政府性基金,撬动地方集成电路产业投资基金超过5000亿元。栾凌预测,“考虑政府资金对产业资本和金额资本的带动,未来十年投向集成电路产业的资金预计达到万亿级别”。

避免三大误区

面对国内涌现的半导体投资热潮,深圳半导体协会秘书长常军锋冷静地说,半导体产业链很长:一是半导体支撑业,包含半导体材料、半导体设备;二是半导体行业,包括分立器件、集成电路,集成电路又分IC设计、制造和IC封测三个环节;三是PC、通信、消费电子、汽车等应用终端。

中国半导体投资有望增至万亿,专家提醒避免三大误区

常军锋指出,在半导体产业链里,中国目前最薄弱的环节,是基础材料研究和先进设备制造;其中,集成电路领域,2000年后中国飞速追赶,设计、制造和封测三个环节里最薄弱是制造;相比之下,中国或者说珠三角最有优势在于庞大的半导体应用产业链。

芯片制造的关键设备领域,包括光刻机、刻蚀机和EUV设备。目前荷兰ASML占了光刻机市场80%的份额;尼康、佳能占了余下20%的份额;德国蔡司镜片、荷兰ASML生产的EUV设备获得了英特尔、三星、台积电三大客户。中国半导体设备由于技术差距,市场份额仅为全球的15%。

半导体材料领域,据SEMI(国际半导体产业协会)的报告,2017年全球半导体材料市场销售额469亿美元,增幅为9.6%。生产半导体芯片需要的19种材料中,日本企业在硅晶圆等14种重要材料方面均占有50%及以上的份额,而中国半导体材料的销售额占全球比重不足5%。

集成电路制造领域,据拓墣产业研究院报告,2017年全球晶圆代工总产值约573亿美元,同比增长7.1%。2017年10纳米制程开始放量,成为晶圆代工产值增长最重要的引擎。目前,台湾地区的台积电是全球晶圆代工的龙头,占了全球市场份额的59.7%。

所以,常军锋对中国半导体投资提出几点建设:一是半导体设备和材料,国家主导引导,科研参与,企业产业化,要有长期奋斗10~30年的目标;二是半导体设计,社会投资资本介入,争取5~10年有设计能和核心技术突破;三是半导体封测,社会投资资本介入,争取做大做强;四是半导体制造,国家引导,社会投资资本介入,争取在5~10年内缩小与世界先进水平的差距;五是半导体应用,配合半导体产业国产化的发展进程。另外,半导体产业的人才培养机构和公司,也有投资价值。

针对全国各地、多个行业都涌现的半导体投资热潮,常军锋在接受第一财经记者采访时特别提醒,要避免三大误区。首先,投资不要大而全。全球半导体产业已经形成生态链,各地投资不要大而全,要“有所为、有所不为”,形成全国一盘棋,有的地方连教师工资也发不出更不宜盲目跟风。

其次,投资要防备昙花一现。一些企业没有充分认识到芯片行业的水有多深,可能要爬50楼,它爬20楼就不爬了,那么前面的投入就会打水漂。像英特尔2017年研发投入131亿美元,占全球半导体研发投入前十强企业的研发投入总额的36%,所以要有持续投入的准备和能力才出手。

第三,弯道超车不易。物联网时代,人工智能芯片碎片化的需求给中国企业更多机会。但是,国外半导体巨头的投入也在持续增加,还通过国际标准、行业标准、专利保护建立了技术壁垒,所以很难弯道超车。中国企业可以在5G通讯芯片设计等领域重点突破,尽力补上芯片材料、设备和制造等短板,要打持久战,花5~10年缩小芯片设计差距,花10~30年缩小芯片材料、设备差距。

来源:芯智讯



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